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圖片信息
STGD3NB60HDT4圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號(hào)：STGD3NB60HDT4
  • 原始制造廠商：ST，意法半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT 600V 10A 50W DPAK
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點(diǎn)擊此處下載STGD3NB60HDT4的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào)：STGD3NB60HDT4
  • 制造商：STMicroelectronics
  • 描述：IGBT 600V 10A 50W DPAK
  • 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產(chǎn)品系列：PowerMESH?
  • 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
  • IGBT類型：-
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：10A
  • 電流-集電極脈沖(Icm)：24A
  • 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，3A
  • 功率-最大值：50W
  • 開關(guān)能量：33μJ（關(guān)）
  • 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
  • 柵極電荷：21nC
  • 25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：5ns/53ns
  • 測試條件：480V，3A，10 歐姆，15V
  • 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：95ns
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
  • STGD3NB60HDT4均從ST代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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