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圖片信息
STGD3NC120H-1圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號(hào):STGD3NC120H-1
  • 原始制造廠(chǎng)商:ST,意法半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):IGBT 1200V 16A IPAK
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi):晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點(diǎn)擊此處下載STGD3NC120H-1的原廠(chǎng)技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):STGD3NC120H-1
  • 制造商:STMicroelectronics
  • 描述:IGBT 1200V 16A IPAK
  • 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產(chǎn)品系列:-
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • IGBT類(lèi)型:-
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):1200V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):16A
  • 電流-集電極脈沖(Icm):20A
  • 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)(最大值):2.8V @ 15V,3A
  • 功率-最大值:105W
  • 開(kāi)關(guān)能量:236μJ(開(kāi)),290μJ(關(guān))
  • 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn)
  • 柵極電荷:24nC
  • 25°C時(shí)Td(開(kāi)/關(guān))值:15ns/118ns
  • 測(cè)試條件:800V,3A,10 歐姆,15V
  • 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):-
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類(lèi)型:通孔
  • 封裝:TO-251-3 短引線(xiàn),IPak,TO-251AA
  • STGD3NC120H-1均從ST代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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    深圳市南皇電子有限公司致力成為中國(guó)領(lǐng)先的IC供應(yīng)商現(xiàn)貨庫(kù)存優(yōu)化處理專(zhuān)家,一站式電子元器件采購(gòu)增值配套,快速響應(yīng)您的報(bào)價(jià)請(qǐng)求

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