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圖片信息
STGD5H60DF圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號(hào):STGD5H60DF
  • 原始制造廠商:ST,意法半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點(diǎn)擊此處下載STGD5H60DF的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
  • 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求!
  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):STGD5H60DF
  • 制造商:STMicroelectronics
  • 描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
  • 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產(chǎn)品系列:-
  • 零件狀態(tài):有源
  • IGBT類型:溝槽型場(chǎng)截止
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):10A
  • 電流-集電極脈沖(Icm):20A
  • 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,5A
  • 功率-最大值:83W
  • 開關(guān)能量:56μJ(開),78.5μJ(關(guān))
  • 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
  • 柵極電荷:43nC
  • 25°C時(shí)Td(開/關(guān))值:30ns/140ns
  • 測(cè)試條件:400V,5A,47 歐姆,15V
  • 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):134.5ns
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
  • STGD5H60DF均從ST代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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