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圖片信息
STGFW80V60F圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號(hào):STGFW80V60F
  • 原始制造廠商:ST,意法半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):IGBT 600V 120A 79W TO-3PF
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點(diǎn)擊此處下載STGFW80V60F的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):STGFW80V60F
  • 制造商:STMicroelectronics
  • 描述:IGBT 600V 120A 79W TO-3PF
  • 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產(chǎn)品系列:-
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • IGBT類型:溝槽型場(chǎng)截止
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):120A
  • 電流-集電極脈沖(Icm):240A
  • 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,80A
  • 功率-最大值:79W
  • 開關(guān)能量:1.8mJ(開),1mJ(關(guān))
  • 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
  • 柵極電荷:448nC
  • 25°C時(shí)Td(開/關(guān))值:60ns/220ns
  • 測(cè)試條件:400V,80A,10 歐姆,15V
  • 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):-
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝:TO-3P-3 整包
  • STGFW80V60F均從ST代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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