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技術(shù)參數(shù)詳解:
制造商產(chǎn)品型號(hào):CSD17579Q3AT制造商:Texas Instruments描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)產(chǎn)品系列:NexFET?零件狀態(tài):有源FET類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30V25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):20A(Ta)驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):10.2 毫歐 @ 8A,10V不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):1.9V @ 250μA不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):15nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):998pF @ 15VFET功能:-功率耗散(最大值):3.2W(Ta),29W(Tc)工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型器件封裝:8-VSONP(3x3.15)CSD17579Q3AT均從TI代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!