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深圳市南皇電子有限公司長期提供SSM6L35FE(TE85L,F)（品牌: Toshiba）充足現(xiàn)貨訂購、免費(fèi)樣品
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深圳市南皇電子有限公司|南皇電子-領(lǐng)先的國內(nèi)IC供應(yīng)商
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圖片信息
SSM6L35FE(TE85L,F)圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：SSM6L35FE(TE85L,F)
  • 原始制造廠商：Toshiba，東芝半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：場效應(yīng)管陣列
  • 點(diǎn)擊此處下載SSM6L35FE(TE85L,F)的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
  • 現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求！
    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 東芝半導(dǎo)體公司完整型號：SSM6L35FE(TE85L,F)
  • 制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
  • 系列：-
  • FET 類型：N 和 P 溝道
  • FET 功能：邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss)：20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：180mA，100mA
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：3 歐姆 @ 50mA，4V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：-
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：9.5pF @ 3V
  • 功率 - 最大值：150mW
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666
  • 供應(yīng)商器件封裝：ES6（1.6x1.6）
  • SSM6L35FE(TE85L,F)均從Toshiba代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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