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圖片信息
TC58BYG2S0HBAI6圖片
基本技術信息：
  • 電子器件型號：TC58BYG2S0HBAI6
  • 原始制造廠商：Toshiba，東芝半導體
  • 技術標準參數：EEPROM SLC 4GB NAND 24NM 67VFBGA
  • 產品應用分類：存儲器
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    • 技術參數詳解：
  • 東芝半導體公司完整型號: TC58BYG2S0HBAI6
  • 制造廠家名稱: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 功能總體簡述: EEPROM SLC 4GB NAND 24NM 67VFBGA
  • 系列: Benand
  • 格式 - 存儲器: EEPROMs - 串行
  • 存儲器類型: EEPROM - NAND
  • 存儲容量: 4G（512M x 8）
  • 速度: 25ns
  • 接口: 并聯
  • 電壓 - 電源: 1.7 V ~ 1.95 V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C
  • 封裝/外殼: 67-VFBGA
  • 供應商器件封裝: 67-VFBGA（6.5x8）
  • TC58BYG2S0HBAI6均從Toshiba代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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