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圖片信息
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
  • 原始制造廠商：Toshiba，東芝半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
  • 點(diǎn)擊此處下載TJ8S06M3L(T6L1,NQ)的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號：TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
  • 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
  • 產(chǎn)品系列：U-MOSVI
  • 零件狀態(tài)：有源
  • FET類型：P 通道
  • 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：60V
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：8A（Ta）
  • 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
  • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：104 毫歐 @ 4A，10V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：19nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：+10V，-20V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：890pF @ 10V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：27W（Tc）
  • 工作溫度：175°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 器件封裝：DPAK+
  • TJ8S06M3L(T6L1,NQ)均從Toshiba代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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