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圖片信息
TPC6006-H(TE85L,F)圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：TPC6006-H(TE85L,F)
  • 原始制造廠商：Toshiba，東芝半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 40V 3.9A VS-6
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
  • 點(diǎn)擊此處下載TPC6006-H(TE85L,F)的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
  • 現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求！
    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號：TPC6006-H(TE85L,F)
  • 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：MOSFET N-CH 40V 3.9A VS-6
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
  • 產(chǎn)品系列：U-MOSIII-H
  • 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
  • FET類型：N 通道
  • 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：40V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：3.9A（Ta）
  • 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：75 毫歐 @ 1.9A，10V
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 1mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：4.4nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：251pF @ 10V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：700mW（Ta）
  • 工作溫度：150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 器件封裝：VS-6（2.9x2.8）
  • TPC6006-H(TE85L,F)均從Toshiba代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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