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圖片信息
XPN6R706NC,L1XHQ圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：XPN6R706NC,L1XHQ
  • 原始制造廠商：Toshiba，東芝半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 40A 8TSON
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
  • 點(diǎn)擊此處下載XPN6R706NC,L1XHQ的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號：XPN6R706NC,L1XHQ
  • 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：MOSFET N-CH 60V 40A 8TSON
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
  • 產(chǎn)品系列：U-MOSVIII-H
  • 零件狀態(tài)：有源
  • FET類型：N 通道
  • 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：60V
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：40A（Ta）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：6.7 毫歐 @ 20A，10V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 300μA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：35nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：2000pF @ 10V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：840mW（Ta），100W（Tc）
  • 工作溫度：175°C
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 器件封裝：8-TSON Advance-WF（3.1x3.1）
  • XPN6R706NC,L1XHQ均從Toshiba代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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