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圖片信息
SI4563DY-T1-GE3圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號(hào):SI4563DY-T1-GE3
  • 原始制造廠(chǎng)商:Vishay,威世
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi):晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 點(diǎn)擊此處下載SI4563DY-T1-GE3的原廠(chǎng)技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
  • 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿(mǎn)足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求!
  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):SI4563DY-T1-GE3
  • 制造商:Vishay Siliconix
  • 描述:MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產(chǎn)品系列:TrenchFET?
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • FET類(lèi)型:N 和 P 溝道
  • FET功能:標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源電壓(Vdss):40V
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):8A
  • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):16 毫歐 @ 5A,10V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):85nC @ 10V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):2390pF @ 20V
  • 功率-最大值:3.25W
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類(lèi)型:表面貼裝型
  • 封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
  • SI4563DY-T1-GE3均從Vishay代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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    深圳市南皇電子有限公司致力成為中國(guó)領(lǐng)先的IC供應(yīng)商現(xiàn)貨庫(kù)存優(yōu)化處理專(zhuān)家,一站式電子元器件采購(gòu)增值配套,快速響應(yīng)您的報(bào)價(jià)請(qǐng)求

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