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圖片信息
SIE862DF-T1-GE3圖片
基本技術信息：
  • 電子器件型號：SIE862DF-T1-GE3
  • 原始制造廠商：Vishay，威世
  • 技術標準參數：MOSFET N-CH 30V 50A 10POLARPAK
  • 產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
  • 點擊此處下載SIE862DF-T1-GE3的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術參數詳解：
  • 制造商產品型號：SIE862DF-T1-GE3
  • 制造商：Vishay Siliconix
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 50A 10POLARPAK
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
  • 產品系列：TrenchFET?
  • 零件狀態(tài)：停產
  • FET類型：N 通道
  • 技術：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：30V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：50A（Tc）
  • 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：3.2 毫歐 @ 20A，10V
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：75nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：3100pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：5.2W（Ta），104W（Tc）
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 器件封裝：10-PolarPAK?（U）
  • SIE862DF-T1-GE3均從Vishay代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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