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Adesto 公司宣布推出全新系列非易失性存儲器器件DataFlash E系列

Adesto Technologies 的 DataFlash "E" 系列是全新系列非易失性存儲器器件,具有較低的功率要求和智能特性,系統(tǒng)效率更高、成本更低。DataFlash E 系列具有多種特性和選項,包括多種行業(yè)第一的特性,如寬 VCC 電壓和“超深度省電”模式。E 系列產品還包括全新的“智能”特性,從而提高了如高效“字節(jié)寫”之類系統(tǒng)性能,不需要大塊擦除和行業(yè)標準的“擦除-編程-掛起-恢復”指令。

 

采用 Adesto 的 E 系列器件后,編程器可發(fā)一個單軟件指令即可擦除/寫入。這與標準串行閃存產品不同,后者需要 4 Kb 的塊擦除。這意味著減少了主機控制器對存儲器進行管理的需要,釋放出資源用于為更高優(yōu)先級操作。較少的存儲器管理同時還意味著控制器的 SRAM 中的軟件占用空間更小,這樣給設計師帶來了靈活性,可使用更小的微控制器,或放棄外部 SRAM。

 

該 E 系列產品具有最大節(jié)能效果,通過簡單的軟件指令即可進入超深度省電模式。E 系列所提供的省電模式僅消耗納安級的電流,能效優(yōu)于其它競爭產品一個數量級以上。省電模式的軟件控制能夠讓設計師免除使用額外的硬件元件,如低壓差穩(wěn)壓器 (LDO) 或氮化鎵晶體管。

 

對于移動或電池供電的設備,DataFlash E 系列不經調壓即可運行,從而最大限度地提升從 1.65 V 至 3.6 V 不間斷的電池壽命。相對標準 VCC 零件,擴展電壓范圍能夠延長電池壽命高達 1000%,同時削減了低壓差穩(wěn)壓器 (LDO) 的成本。

 

對于在更小、更慢型 MCU/CPU 上運行且在高 MHz 范圍內運行的應用,DataFlash 現在支持低功耗讀指令,在時鐘頻率低于 10 MHz 時,通常比標準讀命令可節(jié)省 20% 的電力。

 

E 系列包括各種存儲密度,非常適合數字語音、圖像、程序代碼、數據存儲和其它存儲器應用。

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更多IC電子元器件制造商行業(yè)動態(tài)(2024年11月22日更新)
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