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萊迪思和鈺創(chuàng)(Etron)宣布推出針對鈺創(chuàng)低引腳數(shù)RPC DRAM的存儲控制器參考設計

萊迪思半導體公司,低功耗可編程器件的領(lǐng)先供應商和存儲器IC和SoC的創(chuàng)新供應商鈺創(chuàng)(Etron)今日宣布推出針對鈺創(chuàng)低引腳數(shù)RPC DRAM®的存儲控制器參考設計,從而在要求小尺寸設計的應用上實現(xiàn)低功耗網(wǎng)絡邊緣AI和視頻處理,包括工業(yè)攝像頭、無人機、AR/VR系統(tǒng)和高級駕駛員輔助系統(tǒng)(ADAS)。萊迪思低功耗ECP5™ FPGA為AI或智能視覺任務提供處理能力,并作為鈺創(chuàng)高性能RPC DRAM的存儲控制器。該參考設計可以讓開發(fā)人員在本地存儲AI和智能視覺應用中使用的數(shù)據(jù),而無需大容量外部存儲器,從而降低功耗、總體設計尺寸和數(shù)據(jù)延遲。

 

智能視覺和其他AI應用會生成大量數(shù)據(jù),通常需要上傳到云端進行分析。而網(wǎng)絡邊緣設備的OEM廠商出于對于數(shù)據(jù)延遲和隱私的擔憂,希望更多的數(shù)據(jù)分析在本地進行,且不增加額外的功耗或設計尺寸。在此參考設計的PCB上實現(xiàn)的萊迪思/鈺創(chuàng)解決方案比使用標準DDR3 DRAM的系統(tǒng)功耗低15%,但總體設計尺寸卻比標準DDR3 DRAM芯片使用的9 x 13 mm BGA封裝更小。

 

萊迪思半導體戰(zhàn)略營銷總監(jiān)Kambiz Khalilian表示:“我們兩家公司之間的這種合作,即低功耗、小尺寸FPGA和DRAM存儲器技術(shù)兩個領(lǐng)域領(lǐng)導者的強強聯(lián)合,對網(wǎng)絡邊緣AI設備的持續(xù)開發(fā)具有廣泛的意義。我們的參考設計不僅可以為網(wǎng)絡邊緣設備實現(xiàn)定制化的設計尺寸和處理能力,而且無需FPGA設計專業(yè)知識就可以實現(xiàn),這得益于我們推出了易于使用的設計工具和強大的sensAI解決方案集合!

 

鈺創(chuàng)科技Etron代理商北美區(qū)總裁Chung W. Lam表示:“我們與萊迪思的合作讓客戶能夠開發(fā)具有低功耗計算資源的設備,從而在網(wǎng)絡邊緣實現(xiàn)“實時在線”的智能。工業(yè)、汽車和消費電子等領(lǐng)域的開發(fā)人員希望通過賦予產(chǎn)品智能特性實現(xiàn)差異化,因此,這類易于使用的參考設計對他們而言具有重要價值!

 

該參考設計包括軟件開發(fā)工具,擁有基于GUI的存儲器代碼生成器工具和Verilog®仿真模型。鈺創(chuàng)將于今年第三季度正式發(fā)布采用萊迪思sensAI™解決方案集合和RPC DRAM存儲器控制器參考設計的應用演示。

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