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FUJI針對數(shù)據(jù)中心和通信基站等的電源設(shè)備推出第2代分立式SiC-SBD系列

富士電機株式會社推出的“第2代分立式SiC-SBD※系列”功率半導體產(chǎn)品已開始上市發(fā)售,特此通知。該產(chǎn)品將有助于推動數(shù)據(jù)中心和通信基站等實現(xiàn)節(jié)電。

 

1.背景

 

      隨著DX(數(shù)字化轉(zhuǎn)型)的啟動、遠程辦公的日益普及以及互聯(lián)網(wǎng)服務得到越來越廣泛的應用,網(wǎng)絡通信量與日俱增,數(shù)據(jù)中心和通信基站的設(shè)備投資加速。與此同時,電源設(shè)備的需求也在不斷増加,電源設(shè)備當前的市場規(guī)模約為3,000億日元,預計到2028年度將會增長至約4,500億日元※。

 

    數(shù)據(jù)中心和通信基站的設(shè)備運轉(zhuǎn)需要大量的直流電力,因此電源設(shè)備中一般配備有功率半導體(二極管),以便將電力公司供應的交流電高效轉(zhuǎn)換(整流)為直流電。

 

    功率半導體在通電時會產(chǎn)生電力損耗(恒定損耗)。此次,我們針對數(shù)據(jù)中心和通信基站等的電源設(shè)備,開發(fā)并推出了“第2代分立式SiC-SBD系列”產(chǎn)品,該產(chǎn)品可通過降低電路內(nèi)的恒定損耗來幫助設(shè)備實現(xiàn)節(jié)電。

 

    我們將面向全球推廣該產(chǎn)品,希望通過推進設(shè)備的節(jié)電為建設(shè)脫碳社會盡一份力。

 

2.產(chǎn)品特點

 

將電路板的厚度縮減至三分之一,實現(xiàn)低損耗

 

      要想降低功率半導體的電力損耗,方法之一是將作為元件的電路板加工得更薄,以縮短電流的傳導距離。與本公司老款產(chǎn)品第1代SiC-SBD系列相比,本產(chǎn)品所配備的SiC(碳化硅)電路板的厚度已降至其三分之一左右,同時,通過調(diào)整芯片結(jié)構(gòu),使恒定損耗降低了16%※。我們運用公司特有的加工技術(shù)降低電路板厚度,從而打造出行業(yè)最高水平的薄度。此外,該產(chǎn)品還提高了對雷擊引起的大電流的抵抗能力。這些對于提高其搭載設(shè)備的節(jié)能以及可靠性將會起到推動作用。

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更多IC電子元器件制造商行業(yè)動態(tài)(2024年11月8日更新)
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