GeneSiC Semiconductor的具有RDS的下一代1200V G3R™SiC MOSFET(上) 級別從 20 mΩ至 350 mΩ可提供前所未有的性能水平, 超越同類產品的堅固性和質量. 系統(tǒng)優(yōu)勢包括更高的效率, 更快的開關頻率, 功率密度增加, 減少振鈴 (電磁干擾) 緊湊的系統(tǒng)尺寸.
GeneSiC宣布推出具有行業(yè)領先性能的行業(yè)領先的第三代碳化硅MOSFET, 在汽車和工業(yè)應用中實現(xiàn)前所未有的效率和系統(tǒng)可靠性水平的強大功能和質量.
這些G3R™SiC MOSFET, 提供優(yōu)化的低電感分立封裝 (貼片和通孔), 針對要求提高效率水平和超快開關速度的電源系統(tǒng)設計進行了高度優(yōu)化. 與競爭產品相比，這些設備具有更好的性能水平. 有保證的質量, 快速周轉的大批量制造的支持進一步增強了其價值主張.
“經過多年的開發(fā)，努力實現(xiàn)最低的導通電阻和增強的短路性能, 我們很高興發(fā)布業(yè)界性能最佳的1200V SiC MOSFET，具有超過 15+ 分立和裸芯片產品. 如果下一代電力電子系統(tǒng)要滿足挑戰(zhàn)性的效率, 汽車等應用中的功率密度和質量目標, 工業(yè)的, 再生能源, 運輸, IT和電信, 則與目前可用的SiC MOSFET相比，它們需要顯著改善的器件性能和可靠性” 博士說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC Semiconductor總裁.
特征 –
上級QG 設DS(上) 品質因數(shù) – G3R™SiC MOSFET具有業(yè)界最低的導通電阻和極低的柵極電荷, 導致 20% 比其他同類競爭產品更好的品質因數(shù)
在所有溫度下的傳導損耗低 – GeneSiC的MOSFET具有最弱的溫度導通電阻依賴性，在所有溫度下的導通損耗都非常低; 明顯優(yōu)于市場上任何其他溝槽和平面SiC MOSFET
100 % 雪崩測試 – 強大的UIL功能是大多數(shù)現(xiàn)場應用的關鍵要求. GeneSiC的1200V SiC MOSFET分立器件 100 % 雪崩 (UIL) 生產過程中經過測試
低柵極電荷和低內部柵極電阻 – 這些參數(shù)對于實現(xiàn)超快速切換和實現(xiàn)最高效率至關重要 (低Eon -Eoff) 廣泛的應用開關頻率
常關穩(wěn)定工作溫度高達175°C – GeneSiC的所有SiC MOSFET均采用最先進的工藝進行設計和制造，可在所有工作條件下提供穩(wěn)定可靠的產品，而不會出現(xiàn)任何故障風險. 這些器件的優(yōu)異柵極氧化質量可防止任何閾值 (VTH) 漂移
低設備電容 – G3R™旨在通過其低設備電容來驅動更快，更高效– Ciss, Coss和Crss
快速可靠的體二極管，固有電荷低 – GeneSiC的MOSFET具有基準低反向恢復電荷 (問RR) 在所有溫度下; 30% 比任何同類額定競爭對手的設備都要好. 這樣可以進一步減少功率損耗并提高工作頻率
使用方便 – G3R™SiC MOSFET設計為以+ 15V驅動 / -5V門驅動. 這與現(xiàn)有的商用IGBT和SiC MOSFET柵極驅動器具有最廣泛的兼容性
應用領域 –
電動車 – 動力總成和充電
太陽能逆變器和儲能
工業(yè)電機驅動
不間斷電源供應 (UPS)
開關電源 (開關電源)
雙向DC-DC轉換器
智能電網和高壓直流
感應加熱和焊接
脈沖功率應用
所有設備均可通過授權GeneSiC代理商購買
IC供應商 - 深圳市南皇電子有限公司
專線銷售電話：0755-27850456 82701202 詢價郵箱：sales@nanhuangic.com 支持微信及QQ在線詢價
深圳市南皇電子有限公司致力成為中國最大的IC供應商現(xiàn)貨庫存處理專家及IC代理商，一站式電子元器件采購增值配套，快速響應您的報價請求