Tagore 推出 650V GaN 功率 IC TP44200NM
Tagore Technology 宣布推出采用緊湊型 22 引腳、5mm x 7mm QFN 封裝的 TP44200NM 650V 氮化鎵功率 FET，集成驅(qū)動器 IC。新器件提供 180mOhm 的低 RDS (ON)和快速開關(guān)，可為各種需要高功率密度的應用（包括 USB-PD 充電器、服務器和電信 AC-DC）在小尺寸內(nèi)提供高效、低成本的電源解決方案電源，功率因數(shù)校正（PFC）轉(zhuǎn)換器。
TP44200NM 電源 IC 具有 650V E 模式GaN 功率 FET、驅(qū)動器、UVLO 和高 dv/dt 抗擾度（帶電源和不帶電源） - 全部單片集成在 GaN-on-Si 襯底上。該器件具有低傳播延遲，適用于高頻應用，并通過外部電阻控制壓擺率。
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