旺宏電子聯(lián)手IBM與英飛凌推出一種全新的計算機存儲器技術
IBM、英飛凌和旺宏電子今日宣布,三方將聯(lián)手推出一個研究計劃,以便進一步挖掘一種全新的計算機存儲器技術——相變內存(PCM)的巨大潛力。 盡管仍處于開發(fā)早期階段,但這種技術在高速、高密度數(shù)據(jù)存儲方面已經(jīng)顯示出巨大的潛力,并實現(xiàn)了斷電時的數(shù)據(jù)保護。此項技術的這些優(yōu)良特性將為從高性能服務器到消費電子產(chǎn)品的多種應用帶來巨大的利益。
這種創(chuàng)新技術完美融合了IBM在基礎材料和物理研究領域的強大實力,英飛凌在內存技術研發(fā)及生產(chǎn)方面的超凡能力,以及旺宏電子在非易失性內存技術領域的豐富經(jīng)驗。
“此次合作再次增強了IBM探索內存應用新技術的決心,”IBM研究院科技副總裁T.C. Chen說,“這個計劃的目的在于開發(fā)用于高性能非易失性內存的新材料,并在內存芯片中對這些材料進行評估!
“這項計劃再次顯示了英飛凌在新興內存技術的評估和開發(fā)領域的強大動力,”英飛凌內存產(chǎn)品部技術與開發(fā)高級副總裁Wilhelm Beinvogl表示,“通過這次凝聚著各個領域專家智慧的合作,英飛凌進一步延續(xù)了自己在合作研發(fā)方面的悠久歷史。”
“旺宏電子在非易失性內存的獨立和聯(lián)合開發(fā)方面有著悠久的歷史。此次PCM研發(fā)聯(lián)盟使我們?yōu)榭蛻糇非笞罴鸭夹g和最大價值的理念得到了進一步延續(xù)。我們堅信此次PCM聯(lián)合研發(fā)不僅能夠使非易失性內存超越現(xiàn)有的浮柵和Nbit(2位/單元)技術,同時還將帶來嶄新的市場機會,”旺宏電子總裁兼首席執(zhí)行官吳敏求說道。
研究工作將由分別來自三家公司的約20~25名員工在IBM華生研究中心(美國紐約州約克鎮(zhèn))和阿莫頓研究中心(美國加州圣何塞)進行。
這種創(chuàng)新技術完美融合了IBM在基礎材料和物理研究領域的強大實力,英飛凌在內存技術研發(fā)及生產(chǎn)方面的超凡能力,以及旺宏電子在非易失性內存技術領域的豐富經(jīng)驗。
“此次合作再次增強了IBM探索內存應用新技術的決心,”IBM研究院科技副總裁T.C. Chen說,“這個計劃的目的在于開發(fā)用于高性能非易失性內存的新材料,并在內存芯片中對這些材料進行評估!
“這項計劃再次顯示了英飛凌在新興內存技術的評估和開發(fā)領域的強大動力,”英飛凌內存產(chǎn)品部技術與開發(fā)高級副總裁Wilhelm Beinvogl表示,“通過這次凝聚著各個領域專家智慧的合作,英飛凌進一步延續(xù)了自己在合作研發(fā)方面的悠久歷史。”
“旺宏電子在非易失性內存的獨立和聯(lián)合開發(fā)方面有著悠久的歷史。此次PCM研發(fā)聯(lián)盟使我們?yōu)榭蛻糇非笞罴鸭夹g和最大價值的理念得到了進一步延續(xù)。我們堅信此次PCM聯(lián)合研發(fā)不僅能夠使非易失性內存超越現(xiàn)有的浮柵和Nbit(2位/單元)技術,同時還將帶來嶄新的市場機會,”旺宏電子總裁兼首席執(zhí)行官吳敏求說道。
研究工作將由分別來自三家公司的約20~25名員工在IBM華生研究中心(美國紐約州約克鎮(zhèn))和阿莫頓研究中心(美國加州圣何塞)進行。
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更多IC電子元器件制造商行業(yè)動態(tài)(2024年11月8日更新)
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